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12ª Jornada Integrada de Ensino, Pesquisa e Extensão/ UFTM/ 23ª Semana Nacional de Ciência e Tecnologia/ MCTI
12ª JIEPE/UFTM · 23ª SNCT/MCTI
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PesquisaPós-graduaçãoUberaba2026-1073

Estudo da indução de um Gap em grafeno bicamada (B.L.G) por meio de modulação espacial

  • Matheus Alves Cardoso de Barcelos
  • Gabriel Brandão de Graciaorientação
Pôster do trabalho Estudo da indução de um Gap em grafeno bicamada (B.L.G) por meio de modulação espacial
O pôster como foi apresentado. Toque para abrir em tamanho grande.

Introdução

O grafeno bicamada tem ganhado destaque no estudo da física da matéria condensada. Em cada camada, seus elétrons, no regime de baixas energias, comportam-se como férmions de Dirac sem massa em torno dos pontos de Dirac; regiões do espaço recíproco em que as bandas inferiores e superiores se tocam. No entanto, muitos desses sistemas de grafeno apresentam gap eletrônico nulo ou muito reduzido, o que limita sua aplicação em dispositivos como transistores. Nesse contexto, diversas estratégias têm sido propostas para a abertura de gap, porém, grande parte dessas abordagens frequentemente enfrenta dificuldades relacionadas ao controle experimental ou estabilidade térmica.

Objetivo

Compreender, via resolução da equação de Schrödinger, a possibilidade de abertura de um gap efetivo no espectro de energia em grafeno bicamada. Ela seria induzida por meio da configuração relativa entre as camadas em forma de nanocunha. Assim, pretende-se definir suas implicações tecnológicas na eletrônica: transistores e semicondutores.

Método

A investigação proposta utiliza como ferramenta principal a teoria quântica de campos no contexto da matéria condensada. As equações do modelo serão tratadas por meio de técnicas analíticas e computacionais, permitindo a extração de grandezas físicas de interesse. A partir do Hamiltoniano efetivo (modelo de ligação forte (tight-binding)), foram resolvidas as equações de Schrödinger independentes do tempo, considerando as condições de contorno correspondentes à borda do tipo armchair. Para a configuração geométrica em forma de nanocunha, foram determinados os estados de energia e analisadas as condições necessárias para a abertura de uma lacuna (gap) no espectro eletrônico.

Resultados e discussão

A partir da resolução analítica da equação de Schrödinger independente do tempo, foi obtida a expressão para a dispersão de energia do sistema de grafeno bicamada submetido à modulação espacial do acoplamento intercamadas. A partir da relação de dispersão, foi possível determinar a abertura de uma lacuna de energia (gap) no espectro eletrônico, com valor aproximado de 0,98 eV. Esse resultado evidencia que a modulação geométrica considerada pode produzir uma alteração significativa na estrutura eletrônica do sistema. Com base na expressão analítica obtida, foram construídos os gráficos das relações de dispersão de energia em função do vetor de onda para os três primeiros níveis, correspondentes a n = 1, n = 2 e n = 3. A análise dessas curvas permitiu observar a evolução dos níveis de energia e a presença da região de separação entre as bandas de condução e valência. Posteriormente, foi determinada analiticamente a expressão para a densidade de estados (DOS), possibilitando analisar a distribuição dos estados eletrônicos em função da energia e identificar as características associadas à abertura do gap. Esses resultados fornecem suporte teórico para a investigação da modulação espacial como mecanismo de controle das propriedades eletrônicas do grafeno bicamada.

Conclusão

Os resultados obtidos demonstram que a modulação espacial do acoplamento intercamadas constitui uma alternativa promissora para a indução de gap no grafeno bicamada. O valor aproximado de 0,98 eV encontrado evidencia uma modificação significativa do espectro eletrônico. A análise da dispersão de energia e da densidade de estados reforça a viabilidade teórica da proposta e sua relevância para o controle eletrônico.

Palavras-chave

  • Grafeno Bicamada
  • Gap efetivo
  • Hamiltoniano Efetivo

Esta edição integra a Semana Nacional de Ciência e Tecnologia

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